CMOS器件是一种采用混合摩尔计算技术的半导体器件，它具有低功耗、高集成度和高效率等优点。此外，CMOS器件还具有良好的抗弥散能力，可提高产品的可靠性和耐久性。

弥散是指电路中电子在结构中移动时所造成的电荷和能量损失。由于弥散，CMOS器件会出现电路热效应、噪声和功率消耗等问题。因此，弥散的抑制是CMOS器件设计的关键问题。

CMOS器件的抗弥散能力取决于其结构设计。传统的CMOS器件采用简单的电路结构，没有考虑电子在结构中的移动，所以具有较差的抗弥散能力。然而，随着技术的发展，CMOS器件结构设计也发生了巨大变化。例如，采用低电压交叉技术的CMOS器件可提高电路的抗弥散能力；采用多极型技术的CMOS器件可有效抑制电路的噪声；采用多层技术的CMOS器件可以有效降低电路的电路热效应。这些新技术的应用，使得CMOS器件具有良好的抗弥散能力。

此外，CMOS器件的抗弥散能力还受其工艺参数的影响。例如，电路的抗弥散能力受到电极形状、掺杂比例、掺杂深度和接触面积等参数的影响，因此，调整这些参数可以提高CMOS器件的抗弥散能力。

总之，CMOS器件的抗弥散能力可以通过合理的结构设计和工艺参数调整来提高。这对于提高产品的可靠性和耐久性具有重要的意义。

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