集成电路(Integrated Circuit,简称IC)是指在半导体器件上集成多个功能元件,构成电子电路的一种技术。集成电路制造工艺分为前道工艺和后道工艺两大部分。
前道工艺指的是将半导体器件的原材料,如硅片、金属、氧化层、掩模层等,经过物理、化学等处理,加工成半导体器件的工艺过程,主要包括硅片制备、金属蒸镀、掩模制备、氧化层制备以及晶体管制备等多个工序。
硅片制备是半导体器件制造前道工艺的基础,主要就是将硅晶体经过熔融湿法等处理,切割成多个一定尺寸的硅片。
金属蒸镀是在硅片上形成接地层、接收层或连接层等,它是由硅片表面利用蒸镀的方式,将金属蒸镀在硅片表面,形成所需的金属膜。
掩模制备指的是在金属膜上用掩模的方式,将金属膜上的部分区域进行掩盖,以形成通道或接收层等。
氧化层制备是指在硅片表面或金属膜表面进行氧化处理,形成不同厚度的氧化层,以提高硅片或金属膜的绝缘性能。
晶体管制备是指在硅片表面或金属膜上进行晶体管制备,由于半导体器件的元件部分都是由晶体管构成的,因此晶体管制备是半导体器件制造工艺中不可缺少的一部分。
后道工艺指的是将半导体器件在封装前,经过清洗、烧录、测试、标识等多个工序,完成半导体器件的封装工艺。
清洗是在半导体器件封装前,将半导体器件的表面清洁,以保证半导体器件的可靠性。
烧录是指将半导体器件的程序烧录到半导体器件上,以实现半导体器件功能的工序。
测试是指在半导体器件封装前,将半导体器件进行测试,以确保半导体器件的功能。
标识是指将半导体器件的型号、品牌、生产日期等信息标识在半导体器件的外壳上,便于消费者确定半导体器件的型号、品牌等信息。
总之,半导体器件的制造工艺分为前道工艺和后道工艺两大部分,前道工艺是将半导体器件的原材料,如硅片、金属、氧化层、掩模层等,经过物理、化学等处理,加工成半导体器件的工艺过程;后道工艺则是将半导体器件在封装前,经过清洗、烧录、测试、标识等多个工序,完成半导体器件的封装工艺。
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